IPP023N04NG
Symbol Micros:
TIPP023n04ng
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 2,3 mOhm; 90A; 167W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPP023N04NGXKSA1; IPP023N04NGHKSA1;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,3mOhm |
| Max. Drainstrom: | 90A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 167W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,3mOhm |
| Max. Drainstrom: | 90A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 167W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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