IPP023N08N5AKSA1
Symbol Micros:
TIPP023n08n5
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; +/-20V; 2,3 mOhm; 120A; 300 W; -55°C~175°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,3mOhm |
| Max. Drainstrom: | 120A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Texas Instruments |
| Max. Drain-Source Spannung: | 80V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPP023N08N5AKSA1
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
500 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,8832 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,3mOhm |
| Max. Drainstrom: | 120A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Texas Instruments |
| Max. Drain-Source Spannung: | 80V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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