TIPP023n08n5

Symbol Micros: TIPP023n08n5
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; +/-20V; 2,3mOhm; 120A; 300W; -55°C~175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,3mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Texas Instruments
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 2,3mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Texas Instruments
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT