IPP024N06N3GXKSA1

Symbol Micros: TIPP024n06n3g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; +/-20V; 2,4 mOhm; 120A; 250 W; -55°C~175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,4mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 250W
Gehäuse: TO220
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 2,4mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 250W
Gehäuse: TO220
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT