IPP024N06N3GXKSA1

Symbol Micros: TIPP024n06n3g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; +/-20V; 2,4 mOhm; 120A; 250 W; -55°C~175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,4mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 250W
Gehäuse: TO220
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPP024N06N3GXKSA1 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
9500 stk.
Anzahl Stück 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4899
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 2,4mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 250W
Gehäuse: TO220
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole