IPP028N08N3GXKSA1

Symbol Micros: TIPP028n08n3g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; +/-20V; 2,8 mOhm; 100A; 300 W; -55°C~175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,8mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO220
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 2,8mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO220
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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