IPP028N08N3GXKSA1

Symbol Micros: TIPP028n08n3g
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Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; +/-20V; 2,8 mOhm; 100A; 300 W; -55°C~175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,8mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO220
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPP028N08N3GXKSA1 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
5436 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,1200
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 2,8mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO220
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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