IPP032N06N3G

Symbol Micros: TIPP032n06n3g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3,2 mOhm; 120A; 188W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPP032N06N3GXKSA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,2mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 188W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPP032N06N3GXKSA1 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
250 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 50+ 250+
Nettopreis (EUR) 1,4719 1,0259 0,8710 0,8193 0,7747
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Standard-Verpackung:
50/250
Widerstand im offenen Kanal: 3,2mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 188W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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