IPP034NE7N3GXKSA1

Symbol Micros: TIPP034ne7n3g
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Gehäuse: TO220
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Transistor N-Kanal MOSFET; 75V; 20V; 3,4mOhm; 100A; 214W; -55°C ~ 175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,4mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 214W
Gehäuse: TO220
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPP034NE7N3GXKSA1 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,8714 1,5709 1,3956 1,2886 1,2476
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPP034NE7N3GXKSA1 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
5000 stk.
Anzahl Stück 500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,2476
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Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3,4mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 214W
Gehäuse: TO220
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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