IPP041N12N3G

Symbol Micros: TIPP041n12n3g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 120V; 20V; 4,1 mOhm; 120A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPP041N12N3GXKSA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,1mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 120V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPP041N12N3GXKSA1 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,6209 2,1967 1,9539 1,8031 1,7465
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPP041N12N3GXKSA1 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,7465
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 4,1mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 120V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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