IPP041N12N3G
Symbol Micros:
TIPP041n12n3g
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 120V; 20V; 4,1 mOhm; 120A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPP041N12N3GXKSA1;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,1mOhm |
| Max. Drainstrom: | 120A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 120V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPP041N12N3GXKSA1 RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,5943 | 2,1743 | 1,9340 | 1,7847 | 1,7287 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPP041N12N3GXKSA1
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
100 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,7287 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPP041N12N3GXKSA1
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
100 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,7287 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPP041N12N3GXKSA1
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1562 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,7287 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPP041N12N3GXKSA1
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
650 stk.
| Anzahl Stück | 500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,7287 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,1mOhm |
| Max. Drainstrom: | 120A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 120V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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