IPP045N10N3G

Symbol Micros: TIPP045n10n3g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 7,7 mOhm; 100A; 214 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPP045N10N3GXKSA1; IPP045N10N3GHKSA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7,7mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 214W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPP045N10N3GXKSA1 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
60 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,7108 1,2696 1,0560 1,0208 1,0068
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Standard-Verpackung:
50/150
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPP045N10N3GXKSA1 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
4410 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,0068
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 7,7mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 214W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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