IPP110N20N3G

Name: TIPP110n20n3g TIPP110n20n3g
Brand: Infineon
SKU: TIPP110n20n3g
Price: 3.0344 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIPP110n20n3g

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 11mOhm; 88A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPP110N20N3GXKSA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	11mOhm
Max. Drainstrom:	88A
Maximaler Leistungsverlust:	300W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPP110N20N3G RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

8 stk.

Anzahl Stück	1+	4+	16+	64+	192+
Nettopreis (EUR)	3,9449	3,4427	3,2010	3,0836	3,0344

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPP110N20N3GXKSA1 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

2150 stk.

Anzahl Stück	500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	3,0344

Widerstand im offenen Kanal:	11mOhm
Max. Drainstrom:	88A
Maximaler Leistungsverlust:	300W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT