IPP110N20N3G

Symbol Micros: TIPP110n20n3g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 11mOhm; 88A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPP110N20N3GXKSA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 88A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPP110N20N3G RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
8 stk.
Anzahl Stück 1+ 4+ 16+ 64+ 192+
Nettopreis (EUR) 3,5604 3,1071 2,8875 2,7813 2,7388
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Standard-Verpackung:
16
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPP110N20N3GXKSA1 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
2400 stk.
Anzahl Stück 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 2,7388
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPP110N20N3GXKSA1 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
14550 stk.
Anzahl Stück 500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 2,7388
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Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 88A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

Symbol Micros

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