IPP120N20NFDA

Symbol Micros: TIPP120n20nfda

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 12mOhm; 84A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPP120N20NFDAKSA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	12mOhm
Max. Drainstrom:	84A
Maximaler Leistungsverlust:	300W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPP120N20NFDAKSA1 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

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25 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	25+	100+	200+
Nettopreis (EUR)	4,1157	3,5389	3,2907	3,1938	3,1654

Widerstand im offenen Kanal:	12mOhm
Max. Drainstrom:	84A
Maximaler Leistungsverlust:	300W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT