IPP50R190CEXKSA1 INFINEON

Symbol Micros: TIPP50r190ce
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Trans MOSFET N-CH 500V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 190mOhm
Max. Drainstrom: 18,5A
Maximaler Leistungsverlust: 127W
Gehäuse: TO220
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPP50R190CEXKSA1 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5976 1,2193 1,0090 0,8852 0,8409
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 190mOhm
Max. Drainstrom: 18,5A
Maximaler Leistungsverlust: 127W
Gehäuse: TO220
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole