IPP50R190CEXKSA1 INFINEON

Symbol Micros: TIPP50r190ce
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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Trans MOSFET N-CH 500V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 190mOhm
Max. Drainstrom: 18,5A
Maximaler Leistungsverlust: 127W
Gehäuse: TO220
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPP50R190CEXKSA1 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5581 1,1891 0,9841 0,8633 0,8200
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPP50R190CEXKSA1 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
23516 stk.
Anzahl Stück 200+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,8200
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 190mOhm
Max. Drainstrom: 18,5A
Maximaler Leistungsverlust: 127W
Gehäuse: TO220
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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