IPP50R199CPXKSA1

Symbol Micros: TIPP50r199cp
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 550V; 20V; 199 mOhm; 17A; 139W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 199mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 139W
Gehäuse: TO220
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 550V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 199mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 139W
Gehäuse: TO220
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 550V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT