IPP50R199CPXKSA1
Symbol Micros:
TIPP50r199cp
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 550V; 20V; 199 mOhm; 17A; 139W; -55°C~150°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 199mOhm |
| Max. Drainstrom: | 17A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 139W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 550V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPP50R199CPXKSA1
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
100 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2394 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 199mOhm |
| Max. Drainstrom: | 17A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 139W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 550V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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