IPP60R040C7XKSA1

Symbol Micros: TIPP60r040c7
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Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 40mOhm; 50A; 227W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 227W
Gehäuse: TO220
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPP60R040C7XKSA1 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
250 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 4,9946
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 227W
Gehäuse: TO220
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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