IPP60R099C6
Symbol Micros:
TIPP60r099c6
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 230 mOhm; 37,9A; 278 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPP60R099C6XKSA1;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 230mOhm |
| Max. Drainstrom: | 37,9A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 278W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPP60R099C6XKSA1
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
22 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,2984 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPP60R099C6XKSA1
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
223 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,6597 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPP60R099C6XKSA1
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
725 stk.
| Anzahl Stück | 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,8004 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 230mOhm |
| Max. Drainstrom: | 37,9A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 278W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole