IPP60R099C6

Symbol Micros: TIPP60r099c6
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Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 230 mOhm; 37,9A; 278 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPP60R099C6XKSA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 230mOhm
Max. Drainstrom: 37,9A
Maximaler Leistungsverlust: 278W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPP60R099C6XKSA1 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
46 stk.
Anzahl Stück 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 3,9379
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPP60R099C6XKSA1 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1411 stk.
Anzahl Stück 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 2,7171
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 230mOhm
Max. Drainstrom: 37,9A
Maximaler Leistungsverlust: 278W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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