IPP60R099C6

Symbol Micros: TIPP60r099c6
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Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 230 mOhm; 37,9A; 278 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPP60R099C6XKSA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 230mOhm
Max. Drainstrom: 37,9A
Maximaler Leistungsverlust: 278W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 230mOhm
Max. Drainstrom: 37,9A
Maximaler Leistungsverlust: 278W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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