IPP60R190P6XKSA1

Symbol Micros: TIPP60r190p6

Gehäuse: TO220

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	190mOhm
Max. Drainstrom:	20,2A
Maximaler Leistungsverlust:	151W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	INFINEON
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPP60R190P6XKSA1 RoHS Gehäuse: TO220

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Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,5251	1,2168	1,0403	0,9344	0,8967

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPP60R190P6XKSA1 Gehäuse: TO220

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510 stk.

Anzahl Stück	1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	1,1957

Widerstand im offenen Kanal:	190mOhm
Max. Drainstrom:	20,2A
Maximaler Leistungsverlust:	151W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	INFINEON
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT