IPP60R190P6XKSA1

Symbol Micros: TIPP60r190p6
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 190mOhm
Max. Drainstrom: 20,2A
Maximaler Leistungsverlust: 151W
Gehäuse: TO220
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPP60R190P6XKSA1 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5585 1,1895 0,9855 0,8640 0,8205
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPP60R190P6XKSA1 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1286 stk.
Anzahl Stück 200+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,8205
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPP60R190P6XKSA1 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
453 stk.
Anzahl Stück 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,2822
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 190mOhm
Max. Drainstrom: 20,2A
Maximaler Leistungsverlust: 151W
Gehäuse: TO220
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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