TIPP65r600e6
Symbol Micros:
TIPP65r600e6
Gehäuse: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 600mOhm; 7,3A; 63W; -55°C~150°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 600mOhm |
| Max. Drainstrom: | 7,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 63W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 600mOhm |
| Max. Drainstrom: | 7,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 63W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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