IPP77N06S212AKSA2

Symbol Micros: TIPP77n06s212
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Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 12mOhm; 77A; 158W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPP77N06S212AKSA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 12mOhm
Max. Drainstrom: 77A
Maximaler Leistungsverlust: 158W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 12mOhm
Max. Drainstrom: 77A
Maximaler Leistungsverlust: 158W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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