IPP77N06S212AKSA2

Symbol Micros: TIPP77n06s212

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 12mOhm; 77A; 158W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPP77N06S212AKSA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	12mOhm
Max. Drainstrom:	77A
Maximaler Leistungsverlust:	158W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPP77N06S212AKSA2 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

300 stk.

Anzahl Stück	150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,9895

Widerstand im offenen Kanal:	12mOhm
Max. Drainstrom:	77A
Maximaler Leistungsverlust:	158W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT