IPS60R1K0PFD7S

Symbol Micros: TIPS60r1k0pfd7s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 1,978 Ohm; 4,7A; 26W; -40 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPS60R1K0PFD7SAKMA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,978Ohm
Max. Drainstrom: 4,7A
Maximaler Leistungsverlust: 26W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPS60R1K0PFD7SAKMA1 RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK) Datenblatt
Auf Lager:
15 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,9367 0,6221 0,5165 0,4648 0,4460
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
20
Widerstand im offenen Kanal: 1,978Ohm
Max. Drainstrom: 4,7A
Maximaler Leistungsverlust: 26W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole