IPS70R1K4P7SAKMA1

Symbol Micros: TIPS70r1k4p7s
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Gehäuse: TO251 (IPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 700V; 16V; 1,4 Ohm; 4A; 22,7 W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,4Ohm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 22,7W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 700V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPS70R1K4P7SAKMA1 Gehäuse: TO251 (IPACK)  
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Nettopreis (EUR) 0,1371
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Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,4Ohm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 22,7W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 700V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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