IPT029N08N5ATMA1
Symbol Micros:
TIPT029n08n5
Gehäuse: HSOF8
N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 2,9 mOhm; 52A; 168 W; -55°C~175°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,9mOhm |
| Max. Drainstrom: | 52A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 168W |
| Gehäuse: | HSOF8 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 80V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 6V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPT029N08N5ATMA1
Gehäuse: HSOF8
Externes Lager:
2000 stk.
| Anzahl Stück | 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,7581 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,9mOhm |
| Max. Drainstrom: | 52A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 168W |
| Gehäuse: | HSOF8 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 80V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 6V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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