IPT029N08N5ATMA1

Symbol Micros: TIPT029n08n5
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: HSOF8
N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 2,9 mOhm; 52A; 168 W; -55°C~175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,9mOhm
Max. Drainstrom: 52A
Maximaler Leistungsverlust: 168W
Gehäuse: HSOF8
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Msx. Drain-Gate Spannung: 6V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 2,9mOhm
Max. Drainstrom: 52A
Maximaler Leistungsverlust: 168W
Gehäuse: HSOF8
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Msx. Drain-Gate Spannung: 6V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD