IPT111N20NFDATMA1 INFINEON
Symbol Micros:
TIPT111n20nfd
Gehäuse: HSOF8
Trans MOSFET N-CH 200V 96A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 11,1mOhm |
| Max. Drainstrom: | 96A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 375W |
| Gehäuse: | HSOF8 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 11,1mOhm |
| Max. Drainstrom: | 96A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 375W |
| Gehäuse: | HSOF8 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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