IPT60R028G7XTMA1

Symbol Micros: TIPT60r028g7
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: HSOF8
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 28mOhm; 75A; 391W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 28mOhm
Max. Drainstrom: 75A
Maximaler Leistungsverlust: 391W
Gehäuse: HSOF8
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPT60R028G7XTMA1 Gehäuse: HSOF8  
Externes Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 7,5009
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 28mOhm
Max. Drainstrom: 75A
Maximaler Leistungsverlust: 391W
Gehäuse: HSOF8
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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