IPT60R028G7XTMA1
Symbol Micros:
TIPT60r028g7
Gehäuse: HSOF8
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 28mOhm; 75A; 391W; -55°C~150°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 28mOhm |
| Max. Drainstrom: | 75A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 391W |
| Gehäuse: | HSOF8 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 28mOhm |
| Max. Drainstrom: | 75A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 391W |
| Gehäuse: | HSOF8 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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