IPU80R600P7AKMA1

Symbol Micros: TIPU80r600p7
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Gehäuse: TO251 (IPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 20V; 600 mOhm; 8A; 60W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 600mOhm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPU80R600P7AKMA1 Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Externes Lager:
7870 stk.
Anzahl Stück 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6266
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Standard-Verpackung:
1500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 600mOhm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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