IPU80R600P7AKMA1
Symbol Micros:
TIPU80r600p7
Gehäuse: TO251 (IPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 20V; 600 mOhm; 8A; 60W; -55°C~150°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 600mOhm |
| Max. Drainstrom: | 8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 60W |
| Gehäuse: | TO251 (IPACK) |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 600mOhm |
| Max. Drainstrom: | 8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 60W |
| Gehäuse: | TO251 (IPACK) |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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