IPW60R041C6

Name: TIPW60r041c6 TIPW60r041c6
Brand: Infineon
SKU: TIPW60r041c6
Price: 17.4322 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIPW60r041c6

Gehäuse: TO 3P

N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 96mOhm; 77,5A; 481 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPW60R041C6FKSA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	96mOhm
Max. Drainstrom:	77,5A
Maximaler Leistungsverlust:	481W
Gehäuse:	TO 3P
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPW60R041C6 RoHS Gehäuse: TO 3P Datenblatt

Auf Lager:

2 stk.

Anzahl Stück	1+	2+	4+	10+	20+
Nettopreis (EUR)	19,1745	18,5409	18,0800	17,6544	17,4322

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPW60R041C6FKSA1 Gehäuse: TO 3P

Externes Lager:

227 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	17,4322

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPW60R041C6FKSA1 Gehäuse: TO 3P

Externes Lager:

234 stk.

Anzahl Stück	30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	17,4322

Widerstand im offenen Kanal:	96mOhm
Max. Drainstrom:	77,5A
Maximaler Leistungsverlust:	481W
Gehäuse:	TO 3P
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT