IPW60R060C7XKSA1
Symbol Micros:
TIPW60r060c7
Gehäuse: TO247
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 60mOhm; 35A; 162W; -55°C~150°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 60mOhm |
| Max. Drainstrom: | 35A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 162W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPW60R060C7XKSA1
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
110 stk.
| Anzahl Stück | 30+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 4,8978 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 60mOhm |
| Max. Drainstrom: | 35A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 162W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole