IPW60R070P6XKSA1

Symbol Micros: TIPW60r070p6
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 70mOhm; 53,5A; 391W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 53,5A
Maximaler Leistungsverlust: 391W
Gehäuse: TO247
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 53,5A
Maximaler Leistungsverlust: 391W
Gehäuse: TO247
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT