IPW60R099C6

Symbol Micros: TIPW60r099c6
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 230 mOhm; 37,9A; 278 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPW60R099C6FKSA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 230mOhm
Max. Drainstrom: 37,9A
Maximaler Leistungsverlust: 278W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPW60R099C6FKSA1 RoHS Gehäuse: TO 3P Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 4,9695 4,5759 4,3342 4,2122 4,1409
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Standard-Verpackung:
30
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPW60R099C6FKSA1 Gehäuse: TO 3P  
Externes Lager:
77 stk.
Anzahl Stück 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 4,3930
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPW60R099C6FKSA1 Gehäuse: TO 3P  
Externes Lager:
690 stk.
Anzahl Stück 60+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 4,1409
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 230mOhm
Max. Drainstrom: 37,9A
Maximaler Leistungsverlust: 278W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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