IPW60R099C6

Symbol Micros: TIPW60r099c6

Gehäuse: TO 3P

N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 230 mOhm; 37,9A; 278 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPW60R099C6FKSA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	230mOhm
Max. Drainstrom:	37,9A
Maximaler Leistungsverlust:	278W
Gehäuse:	TO 3P
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPW60R099C6FKSA1 RoHS Gehäuse: TO 3P Datenblatt

Auf Lager:

30 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	90+
Nettopreis (EUR)	5,1039	4,6997	4,4514	4,3261	4,2529

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPW60R099C6FKSA1 Gehäuse: TO 3P

Externes Lager:

150 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	4,2529

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPW60R099C6FKSA1 Gehäuse: TO 3P

Externes Lager:

410 stk.

Anzahl Stück	240+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	4,2529

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPW60R099C6FKSA1 Gehäuse: TO 3P

Externes Lager:

580 stk.

Anzahl Stück	60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	4,2529

Widerstand im offenen Kanal:	230mOhm
Max. Drainstrom:	37,9A
Maximaler Leistungsverlust:	278W
Gehäuse:	TO 3P
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT