TIPW60r120p7

Symbol Micros: TIPW60r120p7
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 120mOhm; 26A; 95W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 26A
Maximaler Leistungsverlust: 95W
Gehäuse: TO247
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPW60R120P7XKSA1 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
540 stk.
Anzahl Stück 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,6425
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 26A
Maximaler Leistungsverlust: 95W
Gehäuse: TO247
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT