IPW60R125P6

Symbol Micros: TIPW60r125p6

Gehäuse: TO 3P

N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 293 mOhm; 30A; 219W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPW60R125P6XKSA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	293mOhm
Max. Drainstrom:	30A
Maximaler Leistungsverlust:	219W
Gehäuse:	TO 3P
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPW60R125P6XKSA1 RoHS Gehäuse: TO 3P Datenblatt

Auf Lager:

30 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	90+
Nettopreis (EUR)	6,6619	5,6488	5,0277	4,7113	4,5318

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPW60R125P6XKSA1 Gehäuse: TO 3P

Externes Lager:

660 stk.

Anzahl Stück	120+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	4,5318

Widerstand im offenen Kanal:	293mOhm
Max. Drainstrom:	30A
Maximaler Leistungsverlust:	219W
Gehäuse:	TO 3P
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT