IPW60R190E6

Symbol Micros: TIPW60r190e6
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 440 mOhm; 20,2A; 151W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 440mOhm
Max. Drainstrom: 20,2A
Maximaler Leistungsverlust: 151W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPW60R190E6FKSA1 RoHS Gehäuse: TO 3P Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 3,3793 2,7926 2,4477 2,2787 2,1801
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Standard-Verpackung:
10
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPW60R190E6FKSA1 Gehäuse: TO 3P  
Externes Lager:
115 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,4743
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 440mOhm
Max. Drainstrom: 20,2A
Maximaler Leistungsverlust: 151W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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