IPW65R125C7XKSA1

Symbol Micros: TIPW65r125c7
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Gehäuse: TO247
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 125 mOhm; 18A; 101W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 125mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 101W
Gehäuse: TO247
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPW65R125C7XKSA1 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
231 stk.
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Nettopreis (EUR) 2,4215
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1
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Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 125mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 101W
Gehäuse: TO247
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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