TIPW65r150cfd

Symbol Micros: TIPW65r150cfd
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 150mOhm; 22,4A; 195,3W; -55°C~150°C; Odpowiednik: IPW65R150CFDFKSA2; IPW65R150CFDFKSA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 150mOhm
Max. Drainstrom: 22,4A
Maximaler Leistungsverlust: 195,3W
Gehäuse: TO247
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPW65R150CFDFKSA2 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
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Nettopreis (EUR) 1,8819
Standard-Verpackung:
240
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 150mOhm
Max. Drainstrom: 22,4A
Maximaler Leistungsverlust: 195,3W
Gehäuse: TO247
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT