IPW90R120C3

Symbol Micros: TIPW90r120c3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 30V; 270 mOhm; 36A; 417W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPW90R120C3FKSA1; IPW90R120C3XKSA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 270mOhm
Max. Drainstrom: 36A
Maximaler Leistungsverlust: 417W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPW90R120C3 RoHS Gehäuse: TO 3P Datenblatt
Auf Lager:
5 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 10+ 20+ 40+
Nettopreis (EUR) 14,3435 13,5107 13,3037 13,1508 13,0402
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Standard-Verpackung:
5
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPW90R120C3XKSA1 Gehäuse: TO 3P  
Externes Lager:
1350 stk.
Anzahl Stück 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 13,0402
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 270mOhm
Max. Drainstrom: 36A
Maximaler Leistungsverlust: 417W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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