IPW90R340C3

Symbol Micros: TIPW90r340c3

Gehäuse: TO 3P

N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 30V; 760 mOhm; 15A; 208W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPW90R340C3FKSA1; IPW90R340C3XKSA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	760mOhm
Max. Drainstrom:	15A
Maximaler Leistungsverlust:	208W
Gehäuse:	TO 3P
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	900V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	760mOhm
Max. Drainstrom:	15A
Maximaler Leistungsverlust:	208W
Gehäuse:	TO 3P
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	900V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT