IPZ40N04S58R4ATMA1

Symbol Micros: TIPZ40n04s58r4
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Gehäuse: TSDSON08
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 8,4 mOhm; 40A; 34W; -55°C~175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8,4mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 34W
Gehäuse: TSDSON08
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPZ40N04S58R4ATMA1 Gehäuse: TSDSON08  
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7500 stk.
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Nettopreis (EUR) 0,2430
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5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 8,4mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 34W
Gehäuse: TSDSON08
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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