IQDH88N06LM5SC
Symbol Micros:
TIQDH88N06LM5SC
Gehäuse: WHSON8
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 1,24mOhm; 447A; 333W; -55°C ~ 175°C; IQDH88N06LM5SCATMA1
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,24mOhm |
| Max. Drainstrom: | 447A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 333W |
| Gehäuse: | WHSON8 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,24mOhm |
| Max. Drainstrom: | 447A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 333W |
| Gehäuse: | WHSON8 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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