IRF1010ES smd
 Symbol Micros:
 
 TIRF1010es 
 
  
 
 
 
 
 Gehäuse: TO263 (D2PAK)
 
 
 
 N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; IRF1010ESPBF, IRF1010ESTRLPBF 
 
 
 
 Parameter 
 
 	
		
											
 
 
 
 | Widerstand im offenen Kanal: | 12mOhm | 
| Max. Drainstrom: | 84A | 
| Maximaler Leistungsverlust: | 200W | 
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) | 
| Hersteller: | International Rectifier | 
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V | 
| Transistor-Typ: | N-MOSFET | 
 
 
 Hersteller: International Rectifier
 
 
 Hersteller-Teilenummer: IRF1010ESTRPBF RoHS
 
 
 Gehäuse: TO263t/r (D2PAK)
 
 
 
 	
 		
 	
 	 
 
 Datenblatt 
 
 
 
 
 
 Auf Lager:
 
 
 50 stk.
 
 
 | Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,5180 | 1,2116 | 1,0371 | 0,9311 | 0,8933 | 
 
 
 Hersteller: Infineon
 
 
 Hersteller-Teilenummer: IRF1010ESTRLPBF
 
 
 Gehäuse: TO263 (D2PAK)
 
 
 
  
 
 
 
 
 
 Externes Lager:
 
 
 800 stk.
 
 
 | Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). | 
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8933 | 
| Widerstand im offenen Kanal: | 12mOhm | 
| Max. Drainstrom: | 84A | 
| Maximaler Leistungsverlust: | 200W | 
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) | 
| Hersteller: | International Rectifier | 
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V | 
| Transistor-Typ: | N-MOSFET | 
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V | 
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C | 
| Montage: | SMD | 
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