IRF1010EZ

Symbol Micros: TIRF1010ez
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET HEXFET 60V 84A 140W 0,012? IRF1010EZPBF
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8,5mOhm
Max. Drainstrom: 84A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1010EZPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
350 stk.
Anzahl Stück 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3182
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 8,5mOhm
Max. Drainstrom: 84A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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