IRF1010N

Symbol Micros: TIRF1010n
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Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 11mOhm; 85A; 180 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF1010NPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 85A
Maximaler Leistungsverlust: 180W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 85A
Maximaler Leistungsverlust: 180W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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