IRF1010NS

Symbol Micros: TIRF1010ns
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 11mOhm; 85A; 180 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF1010NSTRLPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 85A
Maximaler Leistungsverlust: 180W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF1010NS RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK)  
Auf Lager:
17 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,9755 1,5748 1,3485 1,2117 1,1622
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 85A
Maximaler Leistungsverlust: 180W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole