IRF1010ZS
Symbol Micros:
TIRF1010zs
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 7,5 mOhm; 94A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF1010ZSTRLPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 7,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 94A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 140W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 7,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 94A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 140W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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