IRF1010ZS

Symbol Micros: TIRF1010zs
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 7,5 mOhm; 94A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF1010ZSTRLPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7,5mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Max. Drainstrom: 94A
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1010ZSTRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
1890 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5273
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 7,5mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Max. Drainstrom: 94A
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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