IRF1018E

Symbol Micros: TIRF1018e

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 8,4 mOhm; 79A; 110 W; -55°C~175°C; Äquivalent: IRF1018EPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	8,4mOhm
Max. Drainstrom:	79A
Maximaler Leistungsverlust:	110W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF1018EPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

10 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,8273	0,5237	0,4125	0,3754	0,3592

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1018EPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

21829 stk.

Anzahl Stück	300+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,3935

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1018EPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

760 stk.

Anzahl Stück	10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,5072

Widerstand im offenen Kanal:	8,4mOhm
Max. Drainstrom:	79A
Maximaler Leistungsverlust:	110W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT