IRF1018E

Symbol Micros: TIRF1018e
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 8,4 mOhm; 79A; 110 W; -55°C~175°C; Äquivalent: IRF1018EPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8,4mOhm
Max. Drainstrom: 79A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF1018EPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
110 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8375 0,5302 0,4176 0,3800 0,3636
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Standard-Verpackung:
50/200
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1018EPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
650 stk.
Anzahl Stück 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,4365
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 8,4mOhm
Max. Drainstrom: 79A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

Symbol Micros

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