IRF1018E
Symbol Micros:
TIRF1018e
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 8,4 mOhm; 79A; 110 W; -55°C~175°C; Äquivalent: IRF1018EPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 8,4mOhm |
Max. Drainstrom: | 79A |
Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | International Rectifier |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 8,4mOhm |
Max. Drainstrom: | 79A |
Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | International Rectifier |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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