IRF1018E

Name: TIRF1018e TIRF1018e
Brand: Infineon
SKU: TIRF1018e
Price: 0.4023 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF1018e

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 8,4 mOhm; 79A; 110 W; -55°C~175°C; Äquivalent: IRF1018EPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	8,4mOhm
Max. Drainstrom:	79A
Maximaler Leistungsverlust:	110W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF1018EPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

110 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,8381	0,5306	0,4179	0,3803	0,3639

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF1018EPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

20 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,8381	0,5306	0,4179	0,3803	0,3639

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1018EPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

880 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4023

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1018EPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

11263 stk.

Anzahl Stück	400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3639

Widerstand im offenen Kanal:	8,4mOhm
Max. Drainstrom:	79A
Maximaler Leistungsverlust:	110W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT