IRF1310NS

Symbol Micros: TIRF1310ns
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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N-MOSFET HEXFET 100V 42A 3.8W 0,036? IRF1310NSPBF IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSPBF-GURT
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 36mOhm
Max. Drainstrom: 42A
Maximaler Leistungsverlust: 3,8W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1310NSTRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
800 stk.
Anzahl Stück 800+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,4769
Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1310NSTRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
1130 stk.
Anzahl Stück 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,6785
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 36mOhm
Max. Drainstrom: 42A
Maximaler Leistungsverlust: 3,8W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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