IRF1312

Symbol Micros: TIRF1312

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 10mOhm; 95A; 210 W; -55 °C ~ 175 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	10mOhm
Max. Drainstrom:	95A
Maximaler Leistungsverlust:	210W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	80V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF1312 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

44 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	44+	132+
Nettopreis (EUR)	1,4681	1,1158	0,9196	0,8109	0,7730

Widerstand im offenen Kanal:	10mOhm
Max. Drainstrom:	95A
Maximaler Leistungsverlust:	210W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	80V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT