IRF1404

Symbol Micros: TIRF1404 c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Transistor N-Kanal MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; IRF1404PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4mOhm
Max. Drainstrom: 202A
Maximaler Leistungsverlust: 333W
Gehäuse: TO220
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 4mOhm
Max. Drainstrom: 202A
Maximaler Leistungsverlust: 333W
Gehäuse: TO220
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT