IRF1404ZPBF

Symbol Micros: TIRF1404z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 3,7 mOhm; 190A; 220 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF1404ZPBF; IRF1404ZGPBF; IRF1404ZLPBF; IRF1404Z;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,7mOhm
Max. Drainstrom: 190A
Maximaler Leistungsverlust: 220W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF1404Z RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
170 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,4978 1,1926 1,0212 0,9179 0,8803
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Standard-Verpackung:
50/200
Widerstand im offenen Kanal: 3,7mOhm
Max. Drainstrom: 190A
Maximaler Leistungsverlust: 220W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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