IRF250P225

Symbol Micros: TIRF250P225
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 250V; 20V; 22mOhm; 69A; 313W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 22mOhm
Max. Drainstrom: 69A
Maximaler Leistungsverlust: 313W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF250P225 RoHS Gehäuse: TO247  
Auf Lager:
5 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 6,0119 5,0614 4,4907 4,2053 4,0355
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Standard-Verpackung:
10
Widerstand im offenen Kanal: 22mOhm
Max. Drainstrom: 69A
Maximaler Leistungsverlust: 313W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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