IRF2805PBF
Symbol Micros:
TIRF2805
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 4,7 Ohm; 175A; 330 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF2805LPBF; IRF2805PBF;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 4,7mOhm |
Max. Drainstrom: | 175A |
Maximaler Leistungsverlust: | 330W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | INFINEON |
Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRF2805PBF RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
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Nettopreis (EUR) | 1,8315 | 1,4615 | 1,2510 | 1,1239 | 1,0776 |
Widerstand im offenen Kanal: | 4,7mOhm |
Max. Drainstrom: | 175A |
Maximaler Leistungsverlust: | 330W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | INFINEON |
Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
Transistor-Typ: | MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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