IRF2805PBF

Symbol Micros: TIRF2805
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 4,7 Ohm; 175A; 330 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF2805LPBF; IRF2805PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,7mOhm
Max. Drainstrom: 175A
Maximaler Leistungsverlust: 330W
Gehäuse: TO220
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF2805PBF RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
35 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,8723 1,4941 1,2789 1,1489 1,1016
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF2805PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
4729 stk.
Anzahl Stück 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,1016
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 4,7mOhm
Max. Drainstrom: 175A
Maximaler Leistungsverlust: 330W
Gehäuse: TO220
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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