IRF2807

Symbol Micros: TIRF2807
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF2807PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 13mOhm
Max. Drainstrom: 82A
Maximaler Leistungsverlust: 230W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF2807 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,1678 0,8189 0,6551 0,6361 0,6147
Standard-Verpackung:
50/100
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF2807PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1650 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6147
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF2807PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
40624 stk.
Anzahl Stück 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6147
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF2807PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
2300 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6867
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 13mOhm
Max. Drainstrom: 82A
Maximaler Leistungsverlust: 230W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT