IRF2807

Symbol Micros: TIRF2807
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF2807PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 13mOhm
Max. Drainstrom: 82A
Maximaler Leistungsverlust: 230W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF2807 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
90 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,1276 0,7907 0,6326 0,6142 0,5936
Standard-Verpackung:
50/100
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF2807 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,1276 0,8618 0,7128 0,6234 0,5936
Standard-Verpackung:
50/700
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF2807PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
152134 stk.
Anzahl Stück 300+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,5936
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF2807PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
2120 stk.
Anzahl Stück 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,8918
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 13mOhm
Max. Drainstrom: 82A
Maximaler Leistungsverlust: 230W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT