IRF2807

Symbol Micros: TIRF2807
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF2807PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 13mOhm
Max. Drainstrom: 82A
Maximaler Leistungsverlust: 230W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF2807 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,1616 0,8145 0,6516 0,6327 0,6115
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Standard-Verpackung:
50/100
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF2807PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
850 stk.
Anzahl Stück 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,6115
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF2807PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
2260 stk.
Anzahl Stück 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,7467
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-04-23
Anzahl Stück: 100
Widerstand im offenen Kanal: 13mOhm
Max. Drainstrom: 82A
Maximaler Leistungsverlust: 230W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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