IRF2807S

Symbol Micros: TIRF2807s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF2807SPBF; IRF2807STRLPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 13mOhm
Max. Drainstrom: 82A
Maximaler Leistungsverlust: 230W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF2807STRLPBF RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK) Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5189 1,1604 0,9599 0,8420 0,7995
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF2807STRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
1780 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7995
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF2807STRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
16800 stk.
Anzahl Stück 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7995
Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 13mOhm
Max. Drainstrom: 82A
Maximaler Leistungsverlust: 230W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD